User talk:AndreAdrian

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Clapp Oszillator

R1 und R2 sind parallel geschaltet. Beide Widerstände bedämpfen den Schwingkreis und machen somit den Oszillator instabiler. Sie haben sonst keine Funktion. L2 ist eine Drossel, über die der Transistor seine Spannung bezieht. Die Induktivität der Drossel muss erheblich größer sein als die Schwingkreisinduktivität. In einer Gateschaltung wird mit dem Sourcewiderstand R1 der Arbeitspunkt eingestellt. Mit R1 kann bei einer Gateschaltung nur bedingt die Verstärkung eingestellt werden. Die Auskopplung der Oszillatorspannung über C4 und Rl belastet den Oszillator erheblich, da RL mit 200 Ohm kleiner als R1 ist. Kendiman (talk) 17:15, 15 March 2023 (UTC)

Rp1 simuliert die Güte Q der Induktivität L1 und Rp2 simuliert die Güte Q der Induktivität L2. Reale Bauteile mit Verlusten bedämpfen den Schwingkreis. Nur eine solche realitätsnahe Simulation macht Sinn bei Oszillator-Schaltungen. Die Drossel L2 hat 10uH, die Schwingkreis-Induktivität L1 hat 3uH. Das Verhältnis ist größer 3. Das Verhältnis sollte nicht zu groß werden, weil sonst die Selbstresonanzfrequenz der Drossel in die Nähe der Schwingkreis-Frequenz kommt. Das führt zu "Schwingungslöcher", d.h. keine Oszillation bei bestimmten Frequenzen. Mit R1 wird der Arbeitspunkt und die Verstärkung eingestellt. Ein FET entspricht einer Pentode mit Regelkennlinie, d.h. die Höhe der Gate zu Source Spannung bestimmt die Steilheit. RL simuliert die Belastung durch den Nutzer des Oszillators. Auch das gehört zu realitätsnaher Simulation. AndreAdrian (talk) 20:22, 17 February 2024 (UTC)